半導体が作られるまで

STEP 1

酸化/拡散

半導体の材料となるシリコンウェハに酸素を含む状態で高温処理を行います。それによって、シリコン表面に安定物質である酸化シリコンを形成したり、イオン打ち込みによるシリコン中に打ち込まれた物質を活性化して、予定された分布形状にします。

STEP 2

CVD／スパッタ

CVDやスパッタとよばれる手法で、薄膜製造技術を行います。気相の化学反応や加速されたイオンを材料に照射するスパッタリングを利用してシリコンウェハ上に、絶縁膜や導電膜を形成します。

STEP 3

フォトリソグラフィ

マスクを使用して、予定された回路パターンを光の選択的照射によって、シリコンウェハ上に塗布した感光材料に転写します。それによって、感光した部分と感光しない部分からなるパターンを生成します。様々な電子部品（半導体素子や液晶ディスプレイパネル等）に用いられます。

STEP 4

イオン打ち込み

半導体に必要なしきい値電圧や抵抗などを作るためPやB等の物質をシリコンウェハ上に注入していきます。それを行うことで、半導体製品に求められる化学変化や構造変化を行います。

STEP 5

エッチング

イオン化もしくはプラズマ化した活性ガスを用いてフォトリソグラフィにより、シリコンウェハ上に形成された感光材料をマスクに、下地膜にパターンを形成します。ドライエッチングとウェットエッチングがあります。